AON6884，规格书， 设计方案，使用方法，AOS/万代，40V双N沟道MOSFET
一般说明,AON6884采用先进的沟槽技术
以低栅极电荷提供优异的RDS（ON）。这是一个
适用于大范围使用的通用设备
功率转换应用。
产品摘要
电压为40伏
内径（VGS=10V时）34A
RDS（开启）（VGS=10V时）<11.3mW
RDS（开启）（VGS=4.5V时）<13.8mW
100%UIS测试
100%Rg测试
AON6884，AOS/万代，40V双N沟道MOSFET
型号:
AON6884