型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常适合用于1.9GHz LTE设计要求因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 SGN19C210I2D
名称 高压-大功率GaN HEMT
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：50.5dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：19dB（典型值）@f=1.6GHz
经验证的可靠性
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