IPD90P04P4-05-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

型号: IPD90P04P4-05-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

**产品型号:** IPD90P04P4-05-VB

**丝印:** VBE2406

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:TO252
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-40V
- 额定电流:-110A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):4.8mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-2V

**封装:** TO252

**详细参数说明:**
IPD90P04P4-05-VB是一款TO252封装的P-Channel沟道场效应管。其额定电压为-40V,额定电流为-110A,具有较低的静态导通电阻(RDS(ON)),在VGS=10V或VGS=20V时为4.8mΩ。阈值电压(Vth)为-2V。该器件适用于高功率、中电压的场合,提供高效的功率开关性能。

**应用简介:**
IPD90P04P4-05-VB适用于各种领域的功率模块,包括但不限于:
1. **电源模块:** 用于中电压、高功率的稳压电源、开关电源等应用,实现能量转换。
2. **电机驱动:** 作为电机驱动模块的一部分,实现对高功率电机的高效控制。
3. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器等中电压、高功率逆变应用。

**作用:**
在上述模块中,IPD90P04P4-05-VB的主要作用是实现高功率、中电压的开关控制,以确保模块的稳定性和高效性能。

**使用注意事项:**
1. **静电防护:** 在操作过程中,需采取防静电措施,避免对器件产生损害。
2. **散热:** 注意器件的散热,确保在额定工作温度范围内。
3. **电源匹配:** 在设计中,确保器件的电源与其额定参数匹配,以确保性能和可靠性。
4. **工作条件:** 了解并遵守器件的工作条件和电气特性,确保在规定的工作条件下使用。

这些建议旨在确保器件的可靠性和性能,具体使用时需参考器件的数据手册和厂商提供的技术规格。

--- 数据手册 ---