**PHD55N03LT-VB 产品参数：**
- 丝印： VBE1307
- 品牌： VBsemi
- 封装： TO252
- 类型： N—Channel 沟道
- 额定电压： 30V
- 额定电流： 60A
- 静态导通电阻： RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压： Vth = 1.6V
**应用简介：**
适用于中电流、低电压的功率开关应用，特别是在需要 N—Channel MOSFET 的场合，用于电源开关、电机控制和功率逆变。
**领域模块及作用：**
1. **电源开关模块：** 用于中功率开关电源，提供可靠的电力转换。
2. **电机驱动模块：** 控制电机运行，适用于中功率电机控制。
3. **中功率逆变模块：** 适用于逆变器，将直流电源转换为交流电源。
4. **电动工具和电动车模块：** 提供中功率电流输出，适用于电动工具和电动车电源系统。
**使用注意事项：**
1. 确保按照规格书正确连接引脚，以确保器件正常工作。
2. 在设计中考虑散热需求，以确保器件在正常温度范围内。
3. 避免电压和电流超过器件的最大额定值。
4. 注意防止器件过载，以避免损坏。