1.概述W25N01GV（1G位）串行SLC NAND闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。W25N SpiFlash系列融合了流行的SPI接口和传统的大NAND非易失性存储器空间。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双/四SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上运行，有源电流消耗低至25mA，备用电流消耗低达10µa。所有W25NSpiFlash系列设备都采用节省空间的封装，这在过去是不可能用于典型的NAND闪存的。W25N01GV 1G位存储器阵列被组织成65536个可编程页，每个可编程页2048字节。使用来自2048字节内部缓冲器的数据，可以一次对整个页面进行编程。页面扫描以64为一组进行擦除（128KB块擦除）。W25N01GV具有1024个可擦除块。W25N01GV支持标准串行外设
2.特点 新的W25N系列SpiFlash存储器–W25N01GV:1G位/128M字节–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–双SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP，/Hold–四SPI：CLK、/CS、IO0、IO 1、IO2、IO3–兼容SPI串行闪存命令 最高性能串行NAND闪存–104MHz标准/双/四SPI时钟–208/416MHz等效双/四SPI–50MB/S连续数据传输速率–快速编程/擦除性能–超过100000次擦除/编程周期–超过10年的数据保留期 高效的“连续读取模式”（1）–缓冲区读取模式的替代方法–读取命令之间无需发出“页面数据读取”–允许直接读取整个内存 低功率、宽温度范围–单个2.7至3.6V电源–25mA有源，10µA备用电流–-40°C至+85°C工作范围 具有128KB块的灵活架构–统一的128K字节块擦除–灵活的页面数据加载方法 高级功能–用于内存阵列的片上1位ECC–ECC状态位指示EC
WINBOND/华邦 W25N01GVZEIG WSON8 NAND FLASH 存储器
型号:
W25N01GVZEIG