1.概述W29N01HV（1G位）NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了一种存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，CMOS待机电流的有效电流消耗低至25mA 10uA。存储器阵列总计138412032个字节，并被组织成135168个字节的1024个可擦除块。每个块由64个可编程页组成，每个可编程页有2112个字节。每个页面由2048个字节组成，用于主数据存储区域，64个字节用于备用数据区域（备用区域通常用于错误管理功能）。W29N01HV支持使用多路复用8位总线传输数据、地址和命令指令的标准NAND闪存接口。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE这五个控制信号处理总线接口协议。
2.特点 基本功能–密度：1Gbit（单片解决方案）–Vcc:2.7V至3.6V–总线宽度：x8–工作温度 工业：-40°C至85°C 单电平单元（SLC）技术。 组织–密度：1G位/128M字节–页面大小 2112字节（2048+64字节）–块大小 64页（128K+4K字节） 最高性能–读取性能（最大） 随机阅读：25 us 顺序读取周期：25ns–写入擦除性能 页面程序时间：250us（典型值） 块擦除时间：2ms（典型）–耐久性100000擦除/编程周期（1）–10年数据保留 命令集–标准NAND命令集–附加命令支持 复制回 最低功耗-读取：25mA（典型3V），编程/擦除：25mA，典型3V，CMOS待机：10uA（典型） 空间高效包装–48引脚标准TSOP1–48球VFBGA–63球VFBGA-Contact Winbond for stackedpackages/KGD
WINBOND/华邦 W29N01HVSINA TSOP48 NAND FLASH存储器
型号:
W29N01HVSINA