1.概述W29N08GV（8G位）NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了一种存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作，在3V和20uA的CMOS待机电流下，有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计1107296256个字节，并被组织成135168个字节的8192个可擦除块。每个块由64个可编程页组成，每个可编程页有2112个字节。每个页面由2048个字节组成，用于主数据存储区域，64个字节用于备用数据区域（备用区域通常用于错误管理功能）。W29N08GV支持使用多路复用8位总线传输数据、地址和命令指令的标准NAND闪存接口。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE这五个控制信号处理总线接口协议。此外，该设备还有另外两个信号引脚，#WP（写保护）和RY/#BY（就绪/忙碌），用于监测设备状态。
2.特点 基本功能–密度：8Gbit（2芯片堆叠解决方案）–Vcc:2.7V至3.6V–总线宽度：x8–工作温度 工业：-40°C至85°C 单电平单元（SLC）技术。 组织–密度：8G位/1G字节–页面大小 2112字节（2048+64字节）–块大小 64页（128K+4K字节） 最高性能–读取性能（最大） 随机阅读：25 us 顺序读取周期：25ns–写入擦除性能 页面程序时间：250us（典型值） 块擦除时间：2ms（典型）–耐久性100000擦除/编程周期（1）–10年数据保留 命令集–标准NAND命令集–附加命令支持 顺序缓存读取 随机缓存读取 缓存程序 复制回 双平面操作-接触Winbond以实现OTP功能-接触Winbond以实现块锁定功能 最低功耗-读取：25mA（典型）-编程/擦除：25mA 空间高效包装–48针标准TSOP1–63球VFBGA–联系Winbond以获得堆叠包装/KGD