锐骏半导体发布全新超低导通电阻MOSFET
Qorvo®推出采用TOLL封装的750V4mΩSiC JFET
士兰微电子车规级MOS产品获CIAS2024年度“最具市场力产品奖”
合科泰推出一款采用TO-263封装的N沟道MOS管HKTE180N08
国基南方、55所碳化硅MOSFET出货量破1500万
MDD肖特基二极管助力充电桩电源功率损耗低
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证
Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET
SiC市场供需之变与未来趋势
昕感科技推出超低导通电阻的SiC MOSFET器件
英飞凌科技推出集成温度传感器全新CoolMOS S7T产品系列
国产氮化镓实现新突破，1200V的氮化镓器件有何优势？
艾为电子推出超低导通电阻的双通道单刀双掷模拟开关-AW35321QNR
ROHM100V耐压双MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET，实现业界超低导通电阻
HNDT-10A接地引下线导通电阻测试仪
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
EN系列：保持低导通电阻与开关速度，改善噪声性能
导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗
Vishay推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET
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