搜索内容
登录
DRAM
40人关注
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
...展开
2246
文章
16
视频
82
帖子
183687
阅读
关注标签,获取最新内容
全部
技术
资讯
资料
帖子
视频
美光3500 SSD为数据密集型客户端应用提供业界领先的用户体验
2024-03-22
620阅读
美光预测旗舰机型DRAM内存将大增50%~100%
2024-03-22
989阅读
三星SDI基兴工厂施工现场发生火灾,无人伤亡
2024-03-22
626阅读
三星研发CXL混合存储模组,实现闪存与CPU数据直传
2024-03-21
895阅读
三星半导体分享了面向PC、移动端和服务器的多样化创新存储解决方案
2024-03-20
652阅读
三星预估先进芯片封装业务今年营收将达1亿美元乃至更多
2024-03-20
894阅读
SK海力士调整在华业务布局,重心转向无锡工厂
2024-03-20
1831阅读
什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核
2024-03-20
2676阅读
三星面临罢工,存储市场供需引关注
2024-03-20
918阅读
西安紫光国芯引领创新,SeDRAM®技术突破存储瓶颈
2024-03-19
1367阅读
三星电子工会谈判破裂,面临历史首次罢工危机
2024-03-19
527阅读
SK海力士中国业务重组,上海公司关闭迁至无锡
2024-03-19
2156阅读
SK海力士中国业务优化:上海公司关闭,重心转向无锡
2024-03-18
1192阅读
预期HBM供应将大幅增长,驱动DRAM产业发展
2024-03-18
541阅读
JEDEC发布:GDDR7 DRAM新规范,专供显卡与GPU使用
2024-03-18
780阅读
DDR5内存接口芯片组如何利用DDR5 for DIMM的优势?
2024-03-17
3155阅读
三星否认MR-RUF方式用于HBM内存生产
2024-03-14
974阅读
高通骁龙8 Gen 4将成业界首款支持LPDDR6内存旗舰芯片
2024-03-14
1033阅读
HBM:突破AI算力内存瓶颈,技术迭代引领高性能存储新纪元
2024-03-14
1324阅读
受困于良率?三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺
原创
2024-03-14
4008阅读
上一页
11
/
115
下一页
相关推荐
更多 >
拆解
3D打印
贸泽电子
OGS
EUV
14nm
寒武纪
半导体芯片
EnOcean
Heilind
4K
×
20
完善资料,
赚取积分