运用FinFET技术　14nm设计开跑

Cadence采用FinFET技术流片14纳米芯片

台积电16纳米FinFET制程明年到来

格罗方德推出优化新世代行动装置的FinFET电晶体架构

先进制程冲第一 台积电16/10nm抢先开火

ARM与格罗方德的20奈米及FinFET技术路线图

芯片制造：14纳米技术路线如何演进？

专访格罗方德Subramani Kengeri：28nm量产致胜关键在于HKMG

解构英特尔FinFET：fin更少、更像三角形

解构英特尔FinFET元件:剖面更像三角形梯形

20nm以后的下一步：摩尔定律该减速了！

下一代晶体管王牌：何种技术领跑22nm时代？

FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布