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PMP23340UCD.1-采用数字电源隔离式控制器且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 砖型 PCB layout 设计
2024-05-10
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基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
2024-01-02
2174阅读
6英寸β型氧化镓单晶成功制备
2023-12-29
3012阅读
基于微纳结构的MEMS热辐射红外光源技术原理
2023-12-28
4350阅读
GaN溅射技术进展
2023-12-28
1597阅读
基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
2023-12-28
2522阅读
Transphorm：氮化镓应用进一步扩展，2024年下半年半导体市场将回暖
2023-12-27
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华大半导体旗下中电化合物荣获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”
2023-12-27
1198阅读
低成本垂直GaN功率器件研究
2023-12-27
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CGD徐维利：生成式AI需求骤升，第三代半导体成关键
原创
2023-12-26
4w阅读
如何利用单根GaN纳米柱实现低功耗的微型人工突触器件呢？
2023-12-26
1677阅读
让AC/DC电源适配器体积缩小一半、效率超95%，剖析TI低功耗GaN新品
原创
2023-12-26
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必易微亮相亚洲电源技术发展论坛
2023-12-25
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增强GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能以适应实际器件应用
2023-12-24
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用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块
2023-12-24
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针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
2023-12-24
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2024-01-01
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2023-12-21
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2023-12-21
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