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具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
2023-12-19
1557阅读
韩国研究团队开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法
2023-12-18
1862阅读
隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）
2023-12-18
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Sumitomo射频应用氮化镓 (GaN) 器件该怎么选？
2023-12-15
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使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度
2023-12-17
2061阅读
意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片
2023-12-15
1894阅读
微波GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14
1097阅读
韩国开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法
2023-12-13
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安世半导体宣布推出新款GaN FET器件
2023-12-13
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针对氧气（O2）和三氯化硼（BCl3）等离子体进行原子层蚀刻的研究
2023-12-13
3053阅读
低功耗GaN在常见交流/直流电源拓扑中的优势
2023-12-11
2170阅读
晶湛半导体完成数亿元C+轮融资
2023-12-11
1265阅读
基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术
2023-12-09
3397阅读
高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能研究
2023-12-09
2802阅读
GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
2023-12-09
3074阅读
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2023-12-09
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2023-12-09
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增强型功率氮化镓器件结构设计进展
2023-12-09
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助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
2023-12-09
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2023-12-07
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