一种基于全HVPE生长的垂直GaN肖特基势垒二极管

宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）介绍

浅谈GaN 异质衬底外延生长方法

GaN外延生长方法及生长模式

SJ MOSFET的应用及与SiC和GaN的比较

最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型数据库的开发与应用

茂睿芯推出全新一代氮化镓技术LD-GaN

GaN HEMT工艺全流程

GaN基耐辐射DC/DC变换器在卫星应用中提高效率

GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算（上）

什么是碳化硅半导体

氮化镓晶体管的优势

利用GaN的带宽和功率密度优势对抗RCIED

碳化硅上的氮化镓还是硅上的氮化镓？

碳化硅上的氮化镓是唯一可行的长期5G解决方案

碳化硅上的氮化镓：衬底挑战

更智能、更简单的射频电源解决方案

碳化硅MMIC上的氮化镓：高功率AESA雷达设计

GaN HEMT大信号模型

用于脉冲雷达应用的氮化镓HEMT