GaN溅射技术进展

基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件

Transphorm：氮化镓应用进一步扩展，2024年下半年半导体市场将回暖

华大半导体旗下中电化合物荣获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”

低成本垂直GaN功率器件研究

CGD徐维利：生成式AI需求骤升，第三代半导体成关键

如何利用单根GaN纳米柱实现低功耗的微型人工突触器件呢？

必易微亮相亚洲电源技术发展论坛

增强GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能以适应实际器件应用

用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块

针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

在金刚石上制造出的氮化镓晶体管散热性能提高2.3倍

栅极驱动DC/DC系列产品扩展

全球大厂带节奏，日本功率半导体市场承受压力

具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究

韩国研究团队开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法

Sumitomo射频应用氮化镓 (GaN) 器件该怎么选？

使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度

意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片

韩国开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法