36W副边氮化镓应用方案概述

芯干线亮相2025新型功率半导体与新能源应用高峰论坛

MOCVD技术丨实现6英寸蓝宝石基板GaN基LED关键突破

英飞凌预测：2025 GaN将为电机行业带来哪些革新？

PD快充芯片U8722BAS和同步整流芯片U7612B概述

纳微半导体联合兆易创新推出高性能500W单级微逆方案

Si、SiC与GaN，谁更适合上场？| GaN芯片PCB嵌埋封装技术解析

竞速消费级GaN黄金赛道！三大重量级厂商旗舰产品亮相，谁家最有看点？

慕尼黑法院判决英飞凌控告英诺赛科专利侵权案胜诉

芯干线邀您共赴2025电源与电磁兼容技术应用大会

英诺赛科与联合电子成立 GaN 技术联合实验室

浅谈氮化镓器件的制造难点

54%关税之后，我们才看懂ST和英诺赛科这场GaN合作的真正价值

垂直GaN迎来新突破！

大连理工大学：科研团队在氮化镓高温三维磁传感芯片领域取得突破性进展

小功率高效率E-GaN开关电源管理方案：U8723AH+U7116W

重磅！英伟达800V高压直流架构革新AI数据中心，三大功率GaN大厂新品揭秘

瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力， 适用于AI数据中心、工业及电源系统应用

瑞萨电子发布新一代650V GaN FET：用独特D-MODE赋能高功率场景

瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用