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三星HBM芯片虽通过英伟达测试,仍存挑战
2024-05-24
811阅读
三星HBM芯片因发热和功耗问题影响测试,与英伟达合作暂时搁浅
2024-05-24
213阅读
三星HBM芯片遇阻英伟达测试
2024-05-24
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SK海力士HBM3E内存良率已达80%
2024-05-23
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美光与客户签下2025年HBM订单,HBM内存预计扩增50%
2024-05-22
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HBM投资增加,美光2024年资本支出预测上调至80亿美元
2024-05-22
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机构:2024年底前HBM将占先进制程比例为35%
2024-05-22
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台积电准备生产HBM4基础芯片
2024-05-21
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AI芯片需求猛增,CoWoS封装供不应求,HBM技术难度升级
2024-05-20
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SK海力士与台积电携手量产下一代HBM
2024-05-20
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台积电将采用HBM4,提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案
2024-05-20
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三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存
2024-05-17
158阅读
台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺
2024-05-17
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三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注
2024-05-16
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又一家代工厂准备上市,国产HBM真要来了?
2024-05-16
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SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
2024-05-15
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2024-05-15
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SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产
2024-05-14
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SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市
2024-05-14
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三星电子组建HBM4团队,旨在缩短开发周期,提升竞争力
2024-05-11
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