三星否认HBM芯片发热问题,与全球合作伙伴开展测试
三星电子:HBM芯片供货测试正顺利开展
三星电子否认HBM产品未达标,多家合作公司保证质量
三星HBM芯片虽通过英伟达测试,仍存挑战
三星HBM芯片因发热和功耗问题影响测试,与英伟达合作暂时搁浅
三星HBM芯片遇阻英伟达测试
SK海力士HBM3E内存良率已达80%
美光与客户签下2025年HBM订单,HBM内存预计扩增50%
HBM投资增加,美光2024年资本支出预测上调至80亿美元
机构:2024年底前HBM将占先进制程比例为35%
台积电准备生产HBM4基础芯片
AI芯片需求猛增,CoWoS封装供不应求,HBM技术难度升级
SK海力士与台积电携手量产下一代HBM
台积电将采用HBM4,提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案
三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存
台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺
三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注
又一家代工厂准备上市,国产HBM真要来了?
SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器