揽获殊荣！普赛斯仪表荣获“金翎奖”功率半导体领域2024年度优质供应商奖项

捷捷微电与晶能微电子深化合作，共绘半导体产业新篇章

可降低功耗的内置SiC二极管的IGBT

基本半导体推出了一种混合式IGBT（混合碳化硅分立器件）

200亿，这里崛起一个半导体超级独角兽

东芝12寸晶圆功率半导体厂完工，产能预计提升2.5倍

安赛思半导体和三福半导体签署战略合作协议

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

东风汽车：智新半导体第二条生产线预计7月批量投产

功率器件IGBT及国内外IGBT企业

如何更好地驱动SiC MOSFET器件？

英飞凌推出全新SSI系列固态隔离器

昕感科技发布一款1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0

1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP™2 .xt模块的特点及应用

DP8000系列双脉冲信号发生器介绍

贝茵凯车规级产品亮相，助力汽车行业新潮

CIAS2024金翎奖颁奖典礼：上海贝岭两款IGBT产品荣获两大奖项

时代半导体获43.28亿战略投资 助力功率半导体产业发展

SiC正在成为储能主流，相关行业即将爆发？

感应加热原理与IGBT应用拓扑分析（上）