专有的 Optoplanar 封装技术助力高级 2.5 A 输出光电耦合器

Vishay发布宽体IGBT和MOSFET驱动器 可用于高压应用领域

国产IGBT功率器件步入快速发展阶段

IR推超高速IGBT 为感应加热和软开关应用作出优化

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

国家政策支持，中国功率半导体将迎来黄金发展期

2013年度大事记：蓝牙/IGBT/802.11p全面爆发

飞兆半导体的1200V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性

利用安森美半导体IGBT实现高能效的高性能开关应用

揭秘IGBT市场成长的动力来源

Amantys加快在中国的发展并宣布实力强劲的分销网络伙伴

Amantys针对高功率模块的4500V Amantys Power DriveTM 驱动器进入中国市场

明星企业齐聚PEC电力电子，共讨行业发展新趋势

国产IGBT前景看好，但突破之路颇曲折

飞兆半导体的阳极短路IGBT荣膺EPC十佳功率产品奖

中国首件自主设计大功率IGBT芯片通过鉴定

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

马达驱动和再生能源应用加持 IGBT市场前景一片光明

英飞凌推出高功率密度和高可靠性的汽车级品质功率模块

英飞凌展示可满足客户高要求的性能一流的IGBT