MCU芯片和功率半导体价格攀升，市场需求复苏信号不明

东芝半导体将加快开发下一代功率器件及SiC和GaN第三代半导体

Nexperia在APEC上发布新型MOSFET

Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列

三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

萨科微推出SL40T120FL系列IGBT单管和CMOS运算放大器SLA333等产品

意法半导体推出功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

GaN在应用太空工业中的应用

CIAS2024年度功率器件及模组类及优质供应商金翎奖“评选揭晓”

亚成微电子即将亮相北京2024新能源汽车技术展

亚成微汽车电气智能化解决方案将亮相北京2024新能源汽车技术展

东芝推出高速二极管型功率MOSFET助力提高电源效率

Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

扬杰科技新能源车用IGBT、SiC模块封装项目完成签约

Qorvo借助SiC FET独特优势，稳固行业领先地位

重庆公布SiC重大项目 三安2个工厂即将点亮投产

西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展

西安电子科技大学科研团队超陡垂直晶体管研究获新突破

IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别

融合SiC和Si的优点：混合功率模块和混合分立器件