SK海力士发布NAND闪存解决方案，助力端侧AI手机发展

AI浪潮拉动DRAM与NAND闪存合约价飙升

SK海力士寻求东电低温蚀刻设备，或降低NAND闪存堆栈层数

铠侠欲重启与西部数据的合并计划，SK海力士明确反对

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产

三星即将量产290层V-NAND闪存

铠侠将10月IPO，或寻求重启与西部数据合并谈判

存储技术革新之战 闪存与内存巨头竞相突破

三星电子NAND晶圆投片量上调约30%，谨慎对待市场发展

三星九代V-NAND闪存或月底量产，堆叠层数将达290层

AI推动硬盘价格上涨，固态硬盘成AI训练首选

SK海力士欲振兴Solidigm，但内外部挑战致信心不足

三星企业级SSD计划涨价，需求激增推动市场格局

Sabrent推出Rocket 4系列M.2 NVMe Gen 4 SSD

TrendForce：二季度NAND闪存合同价格预计上涨13%至18%，固态硬盘合同价亦将上调

SK海力士CEO：HBM内存占比料将破两位数，全面提升盈利能力

长江存储：QLC闪存已完成4000次P / E擦写，采用第三代Xtacking技术

慧荣推出FerriSSD单芯片高性能PCIe 4.0 BGA固态硬盘

SK海力士投建全球最大三层晶圆厂，预计2046年完工

美光DRAM与NAND闪存产品线丰富，QLC颗粒已占总量2/3