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8英寸SiC晶体生长热场的设计与优化

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碳化硅功率器件的技术、应用与发展简析

SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里

隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）

碳化硅外延设备技术研究

SiC MOSFET驱动电压尖峰与抑制方法分析（上）

SiC功率器件中的失效机制分析