SiC战场转向国内？三款SiC MOSFET新品齐发，导通损耗再降50%

CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述

为什么要选择采用TO-LL封装的意法半导体SiC MOSFET

热泵与空调全面跨入SiC碳化硅功率半导体时代：能效革命与产业升级

理想汽车自研SiC团队成果：提高SiC MOSFET可靠性的方式

国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

国产碳化硅MOSFET行业洗牌：SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰

国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引

中国SiC碳化硅功率半导体产业“结硬寨，打呆仗”的破局之路

硅基时代的黄昏：为何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的产品力分析

新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

浮思特 | 紧凑型SiC模块助力高功率密度车载充电器发展

Power Integrations发布1700 V SiC开关集成电路，专为800 V电动汽车设计

新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

扬杰科技出席2025功率半导体器件与集成电路会议

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组？特性是什么？主要应用哪里？

Wolfspeed破产重组 SiC行业格局生变

选择基本半导体SiC碳化硅功率模块，赋能盘式电机驱动新纪元