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半导体单晶抛光片清洗工艺分析
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2021-04-08
姚小熊27
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通过对 Si ， CaAs ， Ge 等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究 ， 分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件。首先用氧化性溶液将晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除 ， 从而实现对晶片进行清洗的目的。采用这种先氧化再剥离的方法 ，可有效去除附着在晶片表面的杂质及各种沾污物。对于不同的材料 ， 氧化过程以及剥离过程可以在不同的溶液中相互独立地进行 ; 也可以组合在一起 ， 使用一种混合液同时实现氧化及剥离。采用氧化、剥离的清洗原理 ， 可提高半导体材料抛光片的清洗工艺技术水平 ， 同时也对新材料抛光片的清洗工艺起到一定的指导作用。
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