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PL2302GD SOT-23-3 N通道高密度MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.74 MB | 2023-11-02

深圳市百盛新纪元半导体有限公司
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特点

●超高密度细胞沟设计为低RDS（开）。

●坚固而可靠。

●表面安装软件包。

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