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处理增强型氮化镓技术
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处理增强型氮化镓技术
硅功率MOSFET为电路设计者提供了许多好处，使它成为许多应用中的明显选择。它提供了高开关速度和低导通电阻，不像前面的双极晶体管，MOSFET不遭受热失控。制造技术的进一步进步，使得可以使用垂直配置，并行地提供许多单个晶体管的设备，进一步降低它们的电阻。
经过几十年的时间，制造商已经改进了基本的设计，在电阻和击穿电压方面制定了新的标准。然而，这些参数一般需要在MOSFET设计中相互折衷。提高击穿电压的技术倾向于提高电阻。作为一个结果，逐渐被如绝缘栅双极晶体管（IGBT）竞争器件击穿电压额定值，需要较高的应用与MOSFET。
一种选择是更换材料。氮化镓（氮化镓）和碳化硅是硅的潜在替代品，由于这些材料具有更高的带隙，能够支持击穿电压的大幅度提高而不影响电阻，如图1所示。
Figure 1： Graph of on-resistance versus breakdown voltage for silicon， SiC， and GaN， showing recently introduced GaN transistors.
Both SiC and GaN have a higher critical electric field strength than silicon， giving them a superior relationship between on-resistance and breakdown voltage. This allows devices to be made smaller and the electrical terminals brought closer together for a given breakdown-voltage requirement.
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