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K9F1G08UOM存储器芯片的数据手册免费下载

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.76 MB | 2019-06-04

sweet1984

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  三星 K9F1GXXX0M 提供了 128M*8Bit/64M*16Bit 的存储容量,另外还有 32 M 的空闲存储器,它是采用 NAND 技术的大容量、高可靠的 Flash 存储器。它对 2112 字节一页(*8device)或者 1056 字(*16device)一页的写操作。典型时间是 300 微秒。对 128 字节/64K 字一块的擦除时间是 50 纳秒。输出引脚可以作为数据/地址/命令复用。每一页的数据读出时间也很快,平均每个字节只需 50 纳秒。片内的写控制器,可以自动执行写操作和擦除功能,包括必要的脉冲产生器,内部校验和冗余数据。K9F1G08 提供了实时映像算法的纠错码,写操作系统可以利用 K9F1G08U0M 扩展的 100K 编程/擦除。K9F1G08U0M 为大容量存储,新型电可擦写的非易失性半导体存储器,提供了最优方案。

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