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IGBT/功率器件
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Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度
2021-04-07
1578
Transphorm推出基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案
2020-12-07
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国内首家打通碳化硅全产业链,三安集成完成MOSFET量产平台打造
2020-12-03
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Excelitas Technologies推出增强型Gen2 905nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管
2020-12-01
2085
扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性
2020-11-26
2094
Power Integrations推出紧凑、高效的SCALE-iDriver™ IC产品系列,可支持1700 V IGBT
2017-05-19
975
Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列产品S5系列IGBT率先登陆Mouser
2015-12-14
1769
ADI推出零漂移精密运算放大器简化电路板设计
2015-08-21
2493
ADI推出2-50 GHz分布式功率放大器
2015-07-15
2225
英飞凌推出新型 IGBT,将总功耗降至最低水平
2015-02-09
2250
Diodes可編程运算放大器使功率及性能更灵活
2014-12-29
1835
英飞凌推出高功率模块平台,为业界提供免授权费封装设计许可
2014-12-18
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IR为混合动力汽车和电动车推出600V车用IGBT
2014-12-11
2260
IR电池保护MOSFET系列为移动应用提供灵活解决方案
2014-12-03
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英飞凌推出额定电流高达120A的新型TO-247PLUS封装
2014-12-02
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IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
2014-11-11
2070
IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列
2014-10-21
1997
Vishay新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品功耗
2014-10-21
1107
东芝新型TFET晶体管,使MCU功耗降至1/10
2014-09-12
7052
IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列
2014-08-19
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