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功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
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2019-07-30
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建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法，对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析，模拟结果与文献中的实验数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的.
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