Vbs电压(控制IC上的Vb和Vs引脚之间的电压差)为控制IC的高压侧驱动电路提供电源。该电源需要在10-20V的范围内,以确保控制IC能够完全增强被驱动的MOS门控晶体管(MGT),一些国际整流器控制IC包括用于Vbs的欠压检测电路,以确保在Vbs电压降到某一电压(数据表中的Vbsuv)以下时,IC不会驱动MGT。这可防止MGT在高损耗模式下运行。
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