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混合集成电路的EMC设计详细说明
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本文详细阐述了混合集成电路电磁干扰产生的原因，并结合混合集成电路的工艺特点提出了系统电磁兼容设计中应注意的问题和采取的具体措施，为提高混合集成电路的电磁兼容性奠定了基础。 1引言混合集成电路（Hybrid Integrated Circuit）是由半导体集成工艺与厚（薄）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。具有组装密度大、可靠性高、电性能好等特点。随着电路板尺寸变小、布线密度加大以及工作频率的不断提高，电路中的电磁干扰现象也越来越突出，电磁兼容问题也就成为一个电子系统能否正常工作的关键。电路板的电磁兼容设计成为系统设计的关键。 2电磁兼容原理电磁兼容是指电子设备和电源在一定的电磁干扰环境下正常可靠工作的能力，同时也是电子设备和电源限制自身产生电磁干扰和避免干扰周围其它电子设备的能力。任何一个电磁干扰的发生必须具备三个基本条件：首先要具备干扰源，也就是产生有害电磁场的装置或设备;其次是要具有传播干扰的途径，通常认为有两种方式：传导耦合方式和辐射耦合方式，第三是要有易受干扰的敏感设备。因此，解决电磁兼容性问题应针对电磁干扰的三要素，逐一进行解决：减小干扰发生元件的干扰强度;切断干扰的传播途径;降低系统对干扰的敏感程度。混合集成电路设计中存在的电磁干扰有：传导干扰、串音干扰以及辐射干扰。在解决EMI问题时，首先应确定发射源的耦合途径是传导的、辐射的，还是串音。如果一个高幅度的瞬变电流或快速上升的电压出现在靠近载有信号的导体附近，电磁干扰的问题主要是串音。如果干扰源和敏感器件之间有完整的电路连接，则是传导干扰。而在两根传输高频信号的平行导线之间则会产生辐射干扰。
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