从3G升级到LTE Advance,对下一代移动通信基础设备和器件供应商提出诸多挑战。下一代无线设备要求支持更宽的信号带宽、更复杂的调制方式,以便在全球范围内部署的各种运行频段上都能获得更高的数据速率。因此,噪声、信号线性度、功耗和外形尺寸等性能都非常关键,对这些性能的要求也更苛刻,元器件供应商同样被要求降低成本和尺寸以支持更高密度的应用。 RFIC设计师面临的挑战也将日益艰巨,因为集成的性能需要至少相当或超过分立元器件实现的性能。在采用分立元器件实现方案时,系统设计师可以分别采取不同技术(如GaAs、Si Bipolar或CMOS)进行最优化的设计。但对那些想通过单一工艺技术提供更高集成度的RFIC设计师来说,这种选择最佳工艺技术的灵活性是最大的挑战。
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