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MOSFET数据表脉冲电流额定值的详细说明
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2020-11-25
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欢迎场效应晶体管（FET）的爱好者们再度光临，阅读“了解 MOSFET 产品说明书”博客系列的第四部分！今天，笔者将谈论脉冲电流额定值、它们的计算方法以及在 FET 产品说明书的安全工作区图中是如何描绘它们的。产品说明书首页上出现的脉冲电流额定值（IDM）与连续电流额定值很相似，因为它是一个理论上的计算值。然而，与连续电流额定值不同的是，IDM 只是作为热约束条件（从正在标准化的 RθJC 到给定的脉冲持续时间以及“绝对最大额定值”表的脚注中明确规定的占空比）的函数被计算出来的。以最近发布的 CSD17579Q5A 30V N 通道 MOSFET 为例。该部件的产品说明书规定了 105A 的最大脉冲电流额定值，基本条件是脉冲持续时间小于或等于 100μs，占空比小于或等于 1％。为确定用于计算 IDM 的瞬态热阻抗，我们将参阅下面图 1 所示的标准化热阻抗曲线。如果我们在脉冲持续时间为 100μs 时看 1％的占空比（棕色）线，得到的标准化因数为 0.12，我们将用它来计算最大功率，并由此计算出该器件在这样的脉冲持续时间和占空比条件下可处理的电流。计算这个值要用 0.12 乘以最大直流（DC）RθJC（4.3˚C/W），得出的瞬态 ZθJC 为 0.52˚C/W。
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