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如何实现嵌入式STTMRAM的架构设计方案详细说明
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2020-11-25
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本文介绍关于新型的芯片架构，将嵌入式磁存储芯片 STT-MRAM 应用于芯片架构设计中，与传统芯片架构相比较，能够降低芯片漏电流，减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长，降低整体使用成本。
本方案的技术特征在于：
（1） 用兼容 SRAM 的嵌入式 STT-MRAM IP 取代传统的 SRAM 单元。SRAM-like 的总线接口信号包括片选 CS、写使能 WE、读使能 RE、输出使能信号 OE、复位 RST、时钟 CLK、地址线 A、数据输入线 DIN 和数据输出线 DOUT。除了一些串行配置接口之外，基本与 SRAMIP 的接口保持一致，非常便于 SOC 的系统集成。
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