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双IGBT缓冲吸收电路的详细资料研究

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.14 MB | 2020-12-02

付黑胡椒

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  为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命 , 提出双 IGBT缓冲吸收电路。针对双 RCD型缓冲吸收电路 , 详述了 IGBT关断过程 C - E端过电压产生的原因 , 给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法 , 讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果 , 通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数 , 指出了 IGBT温升设计及其安装的注意事项。实验研究结果表明 , 双 RCD型缓冲吸收电路可显著降低 IGBT关断过电压 , 具有良好的缓冲吸收效果 , 可保证其安全性、可靠性和稳定性。

  绝缘栅双极型晶体管 ( IGBT)是由双极型三极管 (BJT)和绝缘栅型场效应管 (MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 , 兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为 600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动电动汽车等领域。 IGBT的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口。驱动电路的基本任务 , 就是将控制电路传来的信号按照控制目标的要求 , 转换为加在 IG2 BT控制端和公共端之间 , 可以使其开通或关断的信号。采用性能良好的驱动电路 , 可使 IGBT工作在较理想的开关状态 , 缩小开关时间 , 减小开关损耗 , 对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。本文针对电动汽车双向功率变换器 , 详述了双 IGBT缓冲吸收电路的工作原理及其设计方法。

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