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Gowin块状静态随机存储器的用户手册
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Gowin B-SRAM 用户手册主要描述高云半导体B-SRAM 的特性、工作模式、工作时序以及注意事项，给用户提供应用说明。
高云半导体FPGA 产品提供了丰富的块状静态随机存储器资源，简称块状静态存储器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件内部以行的形式分布，每个B-SRAM 占用3 个CFU 的位置，B-SRAM 的数量根据器件的不同而不同，资源容量详细资料请分别参考《GW1N系列FPGA产品数据手册》、《GW1NR系列FPGA 产品数据手册》、《GW2A 系列FPGA 产品数据手册》、《GW2AR系列FPGA 产品数据手册》。
高云半导体FPGA 产品中的每个B-SRAM 可配置最高18Kbits，数据位宽和地址深度均可配置。每个B-SRAM 有两个端口，即A 端口和B 端口，两个端口都可以进行读操作/写操作，两个端口彼此独立，独立的时钟、地址、数据和控制信号，两个端口共享一块存储空间。每个B-SRAM 可配置4 种操作模式：单端口模式（SP）、双端口模式（DP）、伪双端口模式（SDP）和只读模式（ROM）。在伪双端口模式下，A 端口只能用于写操作，B 端口只能进行读操作
B-SRAM 支持数据初始化操作，可以通过parameter 设置，也可以通过IP Core Generator 读入初始化文件设置。B-SRAM 的写操作和读操作均同步于时钟，B-SRAM 的输入端和输出端都有寄存器，输入端寄存器支持写入数据和控制信号同步于输入时钟。输出端的寄存器支持数据寄存器输出（Pipeline Mode）帮助改善系统时序和性能，也支持旁路输出（Bypass Mode）。寄存器输出的数据比旁路输出的数据延迟一个时钟周期。但建议使用寄存器输出。B-SRAM 的写操作支持Normal 模式、通写模式和先读后写模式。高云半导体Gowin 云源软件IP Core Generator 支持B-SRAM 单端口模式、双端口模式、伪双端口模式和只读模式的生成。
一个B-SRAM 最大容量为18Kbits
支持单端口模式（SP）
支持双端口模式模式（DP）
支持伪双端口模式（SDP）
支持只读模式（ROM）
支持数据位宽1bit ~ 36 bits
双端口模式和伪双端口模式支持读写时钟独立、数据位宽独立
16 bits 及以上的数据位宽支持字节使能功能
支持异步复位，同步释放
输出支持寄存器输出或旁路输出
写模式支持Normal 模式、先读后写模式和通写模式
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