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随机存取存储器VDSR32M32xS68xx8V12-Ⅱ用户手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.74 MB | 2022-05-10

李辉

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VDSR32M322XS68XX8V12-II是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM芯片。它被组织为四个256K x 32位宽数据接口的独立块。可以使用单独选择每个块专用#CSn。低互连寄生电容的堆叠技术，通过减少连接长度，允许此SRAM模块用于各种高带宽、高性能和高密度存储系统应用
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