VDSR32M322xS68XX8V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造,可堆叠八个采用CMOS工艺(6晶体管存储单元)的4-Mbit SRAM芯片。它被组织为四个256K x 32位宽数据接口的独立块。可以使用单独选择每个块专用#CSn。低互连寄生电容的堆叠技术,通过减少连接长度,允许此SRAM模块用于各种高带宽、高性能和高密度存储系统应用
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