EEPROM, FLASH等均是非易失性器件,非易失性存储器最大的特色是在当电源关闭后,原先储存在内的资料,擦可写可编程存储器( EEPROM electrically erasable仍能够持续被保存,且可以被重复抹除修改(一)、电ˉprogrammable令 EEPROM是一块存储器,俗称“码片”,二进制代码的形式存储着手机的资料。
FLASH信号作用描述
数据总线:ED0一ED15,共16根数据线,用于传输数据
地址总线:EA00一EA23,共24根地址线,用于存储单元寻址。
控制总线:
/ERD:写控制信号令
/EWR:读控制信号;
/ WATCHODG:复位信号,用于 FLASH的软件复位;
/CEF1、CEF2: FLASH存储区域选择信号;
/ECS1 PSRAM: PSRAM片选信号;
/ELB、EUB: PSRAM存取区域选择信号
电源供电信号:MEM。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !