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AVR单片机熔丝位问题有哪些资料下载
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2021-04-17
刘埃生
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初学者对熔丝经常不解，AVR芯片使用熔丝来设定时钟、启动时间、一些功能的使能、BOOT区设定、当然还有最让初学者头疼的保密位，设不好锁了芯片很麻烦。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的设定。
1：未编程
0：编程
1.BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路
BODLEVEL(BOD电平选择): 1: 2.7V电平; 0：4.0V电平
BODEN(BOD功能控制): 1：BOD功能禁止;0：BOD功能允许
使用方法：如果BODEN使能(复选框选中)启动掉电检测，则检测电平由BODLEVEL决定。一旦VCC下降到触发电平(2.7v或4.0v)以下，MCU复位;当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT 延时周后重新开始工作。
因为M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以触发电平可选2.7v(BODLEVEL=1)或4.0v(BODLEVEL=0);而M16工作在4.5～5.5V，所以只能选BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不适用于ATmega16。
2.复位启动时间选择
SUT 1/0: 当选择不同晶振时，SUT有所不同。
如果没有特殊要求推荐SUT 1/0设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升。
3.CKSEL3/0: 时钟源选择(时钟总表)
时钟总表
时钟源 启动延时 熔丝
外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SU
外部时钟 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SU
外部时钟 6 CK + 65 ms CKSE SU
内部RC振荡
1MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU
内部RC振荡1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU
内部RC振荡1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSE SU
内部RC振荡2MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU
内部RC振荡
2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU
内部RC振荡2MHZ 6 CK + 65 ms CKSE SU
内部RC振荡4MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU
内部RC振荡4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU
内部RC振荡4MHZ 6 CK + 65 ms CKSE SU
内部RC振荡8MHZ 6 CK + 0 ms CKSE SU
内部RC振荡8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU
内部RC振荡8MHZ 6 CK + 65 ms CKSE SU
外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSE SU
外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU
外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSE SU
外部RC振荡≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU
外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSE SU
外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU
外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSE SU
外部RC振荡0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SU
外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SU
外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU
外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SU
外部RC振荡3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU
外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SU
外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSE SU
外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSE SU
外部RC振荡8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSE SU
低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSE SU
低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSE SU
低频晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSE SU
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