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开关电源MOS的8大损耗有哪些？
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2022-02-11
李雪
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MOS管损耗的8个组成部分
在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。
MOSFET 的工作损耗基本可分为如下几部分：
1、导通损耗Pon
导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流（即漏源电流） IDS(on)(t) 在导通电阻...
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