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HFTA-16.0:双极集成电路的 ESD 保护

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:141.39KB | 2022-11-18

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介绍介绍静电放电 (ESD) 事件向集成电路 (IC) 发送具有潜在破坏性的能量脉冲。设计良好的 IC 具有保护电路来处理在将 IC 组装到应用电路时可能发生的 ESD。IC 还必须处理组装后穿透静电屏蔽进入最终电路的 ESD 能量。除了机械屏蔽外,电源去耦电容器还可以帮助处理 ESD;但是,电容器选择不当会使 IC 更易损坏。为正确保护集成电路免受未屏蔽 ESD 的影响,应考虑以下问题。静电放电 (ESD) 事件向集成电路 (IC) 发送具有潜在破坏性的能量脉冲。设计良好的 IC 具有保护电路来处理在将 IC 组装到应用电路时可能发生的 ESD。IC 还必须处理组装后穿透静电屏蔽进入最终电路的 ESD 能量。除了机械屏蔽外,电源去耦电容器还可以帮助处理 ESD;但是,电容器选择不当会使 IC 更易损坏。为正确保护集成电路免受未屏蔽 ESD 的影响,应考虑以下问题。将 ESD 转移到 IC 的交付模型将 ESD 转移到 IC 的交付模型IC内部的ESD保护IC内部的ESD保护应用电路与 IC 内部 ESD 保护之间的相互作用应用电路与 IC 内部 ESD 保护之间的相互作用修改应用电路,提高IC的ESD防护能力修改应用电路,提高IC的ESD防护能力ESD 交付模型ESD 交付模型静电放电水平用电压来描述。该电压由存储在电容器上的电荷转移到 IC 产生。IC 上的电压和电流应力是由 IC 和 ESD 源之间的阻抗关系产生的。ESD 测试仪是根据预期的电荷源建模的。静电放电水平用电压来描述。该电压由存储在电容器上的电荷转移到 IC 产生。IC 上的电压和电流应力是由 IC 和 ESD 源之间的阻抗关系产生的。ESD 测试仪是根据预期的电荷源建模的。ESD 测试通常使用两种带电物体模型(ESD 测试通常使用两种带电物体模型(图 1图 1)。人体模型 (HBM) 表示存储在人体(100pF 电容器)上并通过皮肤(1.5kΩ 电阻器)放电的电荷。机器模型 (MM) 表示存储在金属物体上的电荷。MM 中的放电仅受互连电感限制。)。

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