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逆变H桥IGBT单管驱动+保护
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2023-02-22
张超
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大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥 里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上去，可能开机带载就炸了。这一点很多人估计都深有体会。 当时我看到做鱼机的哥们用FGH25N120AND这个，反映很容易就烧了，当时不以为然。 只到我在工作中遇到，一定要使用IGBT的时候，我才发现我错了，当初我非常天真的认为，一个IRFP460,20A/500V的 MOSFET，我用个SGH40N60UFD40A/600V的IGBT上去怎么样也不会炸的吧，实际情况却是，带载之后，突然加负载和撤销负 载，几次下来就炸了，我以为是电路没有焊接好，然后同样的换上去，照样炸掉，这样白白浪费了好多IGBT。 后发现一些规律，就是采用峰值电流保护的措施就能让IGBT不会炸。IGBT的介绍与选型见“电子元件-三极管/场效应 管/IGBT”。
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