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0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:396 KB | 2011-09-15

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采用0113μm CMOS 射频和混合信号工艺进行了射频nMOS 场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS 器件进行了直流特性和S 参数测试, 测试结果表明射频nMOS 管的特征频率f T 达到了93GHz , f max超过了90GHz . 采用小信号等效电路模型对该nMOS 管的交流特性进行了模拟. 在100MHz 到30GHz 频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
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