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A004R应用笔记 静电放电损坏与控制
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2023-07-27
李杰
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介绍
静电放电（ESD）是一种自然现象以一种方式影响几乎所有生产设施或其他。随着半导体器件变得越来越小更敏感的是易受攻击的设备列表静电放电造成的损害持续增长。许多公司认为静电损坏是不可避免的，注销返工、客户退货、现场的这些损失服务，保修成本并最终以更高的价格他们的客户。
然而，静态是可以预测、测量、生成的以受控方式，抑制，引导，屏蔽反对，最重要的是，防止。下面，根据经验测试制定放电电路数据和相关文献。将显示存储存在足以造成设备损坏的电荷在各个级别的生产流程和建议用于减少 ESD 损坏。经常犯错还给出了ESD制造控制程序。
描述
Si双极，MMIC和Si的参数或功能故障砷化镓FET晶体管可能由于静电而发生放电。双极晶体管的故障特点是低击穿电压或高漏电流。FET故障的特征是电阻短路。在一些在这种情况下，漏电流会随着施加的电压而增加，反向击穿电压会降低。
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