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NAND型三维多层1TXR阻变存储器设计
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2011-12-07
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提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND) 型共享选通管的三维多层1TXR 阻变存储器概念。在0.13 m工艺下, 以一个使用8 层金属堆叠的1T64R 结构为例, 其存储密度比传统的单层1T1R 结构高500%。提出了相关的读写操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗.
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