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N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:621.56KB | 2024-03-28

张桂兰

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　　此 NexFET™ 功率MOSFET已被设计成在功率转换应 VDS 漏源极电压 25 V 用中大大降低功率损失。

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