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光敏晶体管的中子位移损伤效应研究
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2014-06-04
王宇
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通 过 开 展 光 敏 晶体 管 的 反应 堆 中 子 辐 照 实 验 ，获 得 位 移 效 应 实 验 结 果 ，并 分 析 位 移 损 伤 机 理 。研
究 发 现 ，在 3× 10”～ 5× 10 cm一 中子 注量 范 围 内 ，光 敏 晶体 管 增 益 和 光 响 应 度 的 下 降 导 致 集 电极 输 出
电流下降 。增益 的倒数 与注量的增 加呈 线性关 系 ，注入 电流越 大 ，线性关 系 的斜率 越小 。理 论分 析表
明 ，通 过 提 高 基 区 掺 杂 水 平 或 减 小 基 区 宽 度 ，可 提 高 增 益 的 抗 辐 射 水 平 ；不 同 反 向偏 置 电压 下 的初 级 光
电流辐照前基 本相 同 ，随着辐 照注量 的增大 ，差异 逐 渐增 大 ，反 向偏 置 电压越 大 ，初级 光电 流的退 化越
小 ；通 过 采 用 PIN 结 构 或 加 大 反 向偏 置 电压 来 展 宽耗 尽 区 以 减 少 受 位 移 效 应 严 重 影 响 的 扩 散 电 流 份 额 ，
可 提 高 初 级 光 电流 的抗 辐 射 水 平 。与 PIN 光 电 二 极 管 不 同 ，本 实 验 注 量 范 围 内 ，光 敏 晶 体 管 的 暗 电流 随
注 量 的增 大 而 减 小 。
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