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教你学会如何使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温测量两个元件的功率耗散
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2014-07-31
张瑾
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某些IGBT是单裸片器件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值，用于计算结点至外壳热阻抗。这是一种简化的裸片温度计算方法，会导致涉及到的两个结点温度分析不正确。对于多裸片器件而言，θ值通常不同，两个裸片的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样测量两个元件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。
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