LPC2114/2124/2210/2212/2214微控制器的ARM内核工作在最高频率60MHz时,执行一条指令约为17ns。而Flash存储器的访问周期需要50ns,即最高频率20MHz。所以如果将代码存放在Flash中,将影响ARM内核发挥最大效能。为了能将指令从内部Flash存储器更高效快速地提取到ARM内核,而设计产生了一个存储器加速模块(MAM)。
使能MAM模块后,ARM内核将通过MAM模块访问Flash存储器。
MAM模块中的数据总线宽度为128位,所以一次读取操作可以读出4条ARM指令或8条Thumb指令。
Flash存储器被分为两组,当CPU执行其中一组Flash内的指令时,另一组进行读取缓存操作。
每个Flash组包含预取指缓存和分支跟踪缓存。
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